| 品牌：欧创芯 | 型号：OC5021B | 类型：驱动IC |
| 功率：40W | 批号：2018+ | 特色服务：原厂可提供技术支持 |
| 驱动芯片类型：DC-DC | 针脚数：6 | 封装：SOT23-6封 |
| 系列：降压恒流 | 产品说明：原装假一罚十 | 包装：真空 |
| 应用领域：照明电子 |
OC5021B
开关降压型 LED 恒流驱动器
深圳欧创芯半导体有限公司
1OC5021B_V1.0
典型应用电路图
概述
OC5021B是一款、的
降压型大功率LED恒流驱动控制芯片。
OC5021B采用固定关断时间的峰值
电流控制方式，关断时间可通过外部电容
进行调节，工作频率可根据用户要求而改
变。
OC5021B通过调节外置的电流采样
电阻，能控制高亮度LED灯的驱动电流，
使LED灯亮度达到预期恒定亮度。
在DIM端加PWM信号，可以进行
LED灯调光。DIM端同时支持线性调光。
OC5021B内部集成了VDD稳压管以
及过温保护电路，减少外围元件并提高系
统可靠性。
OC5021B采用SOT23-6封装。
特点
◆宽输入电压范围：3.1V~100V
◆：可高达93%
◆支持PWM调光和线性调光
◆工作频率：1MHz
◆CS电压：250mV
◆芯片供电欠压保护：2.6V
◆关断时间可调
◆智能过温保护
◆内置VDD稳压管
应用领域
◆自行车、电动车、摩托车灯
◆强光手电
◆LED射灯
◆大功率LED照明
◆LED背光OC5021B
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2OC5021B_V1.0
封装及管脚分配
SOT23-6
管脚描述
管脚号 管脚名 描述
1 DRV驱动端，接外部MOS管栅极
2 VSS接地
3 DIM调光脚，支持PWM调光及线性调光。DIM接地则关
断输出；DIM电压高过3.1V则电流输出。
4 VDD芯片电源
5 TOFF关断时间设置
6 CS电感峰值电流检测脚OC5021B
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3OC5021B_V1.0
极限参数（注 1）
符 号 描述 参数范围 单位
VDD VDD端电压5.5 V
VMAXDIM、DRV、TOFF和CS脚的
电压
-0.3~VDD+0.3 V
PSOT23-6SOT23-6封装功耗0.3 W
TA工作温度范围-20~85
o
C
TSTG存储温度范围-40~120
o
C
TSD焊接温度范围（时间小于30秒）240
o
C
VESD静电耐压值（人体模型）2000 V
注 1：极限参数是指超过上表中规定的工作范围可能会导致器件损坏。而工作在以上极限条件下可能会影响器
件的可靠性。
内部电路方框图OC5021B
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电特性
除非特别说明，VDD=5.5V，TA=25
o
C
参数 符号 测试条件 小值 典型值 值 单位
电源电压
VDD钳位电压VDDIVDD<10ma 5.5 v
欠压保护电压VDD_UVLOVDD上升2.6 V
欠压保护迟滞VDD_HYS 0.4 V
电源电流
工作电流IOPFOP=200KHz 1.3 mA
待机输入电流IINQ无负载，EN为低电平200 uA
峰值电流采样
VCS阈值VCS_TH245 255 265 mV
关断时间
小关断时间TOFF_MINTOFF脚无外接电容650 ns
DIM 调光
线性调光范围VDIM 1.1 3.1 V
DIM关断电压0.9 V
DRV 驱动
DRV上升时间TRISEDRV脚接500pF电容50 ns
DRV下降时间TFALLDRV脚接500pF电容50 ns
小导通时间TON_MIN250 ns
过温保护
过温调节OTP_TH 140
o
COC5021B
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应用指南
工作原理
OC5021B采用峰值电流检测和固定关断时间的控制方式。电路工作在开关管导通和关断
两种状态。
参见图1所示的典型应用电路图，当MOS开关管处于导通状态时，输入电压VIN通过LED
灯、电感L1、MOS开关管、电流检测电阻RCS对电感充电，流过电感的电流随充电时间逐渐增
大，当电流检测电阻RCS上的电压降达到电流检测阈值电压VCS_TH时，控制电路使得DRV输出
端变为低电平并关断MOS开关管。
当MOS开关管处于关断状态时，电感通过由LED灯、续流二极管以及电感自身组成的环
路对电感储能放电。MOS开关管在关断一个固定的时间TOFF后，重新回到导通状态，并重复
以上导通与关断过程。
TOFF设置
固定关断时间可由连接到TOFF引脚端的电容COFF设定：
T K C pF TOFF OFF= Ω + +0.51 150 ( 8 )D
其中TD=61ns。
如果不外接COFF，内部将关断时间设定为650ns。
输出电流设置
LED输出电流由电流采样RCS以及TOFF等参数设定：
CS 1
0.25
2
LED OFF LEDV T I
R L
=
其中VLED是LED的正向导通压降，L1是电感值。
电感取值
为系统的输出恒流特性，电感电流应工作在连续模式，要求的小电感取值为：
LV T R1 LED OFF CS> 4
系统工作频率
系统工作频率FS由下式确定：
IN LED
S
IN OFF
V V F
V T
=
DIM 调光脚
OC5021B可通过DIM脚进行调光。DIM脚支持PWM调光及线性调光。当DIM脚接地，芯
片关断LED输出；当DIM脚电压高过3.1V，LED输出电流。DIM脚线性调光范围在OC5021B
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1.1-3.1V。当不需要调光功能时，DIM脚应接高电平，DIM脚不允许悬空。在采用线性调光时，
DIM脚对地应接一个小电容（例如10nF以上电容）。
芯片布局考虑
电流检测电阻RCS到芯片CS引脚以及GND引脚的连线需尽量粗而短，以减小连线寄生电
阻对输出电流精度的影响。
MOS 管选择
首先要考虑MOS管的耐压，一般要求MOS管的耐压高过输出电压的1.5倍以上。其
次，根据驱动LED电流的大小以及电感峰值电流来选择MOS管的IDS电流。一般MOS管的
IDS电流应是电感峰值电流的2倍以上。此外，MOS管的导通电阻RDSON要小，RDSON
越小，损耗在MOS管上的功率也越小，系统转换效率就越高。
另外，高压应用时应注意选择阈值电压在2.5V以内的MOS管。芯片的工作电源电压决定
了DRV驱动电压。通常芯片的驱动电压为5.5V，所以应MOS管在VGS电压等于5.5V时导
通内阻足够低。
供电电阻选择
OC5021B通过供电电阻RVDD对芯片VDD供电。
IN
VDD
VDD
V VDD R
I
=
其中VDD取5.5V, IVDD典型值取2mA，VIN为输入电压。当开关频率设置的较高或者MOS管的
输入电容较大时，芯片工作电流会增大，相应地应减小供电电阻取值。
芯片内部接VDD脚的稳压管钳位电流不超过10mA，应注意RVDD的取值不能过小，以
免流入VDD的电流超过允许值，否则需外接稳压管钳位。
过温保护
当芯片温度过高时，系统会限制输入电流峰值，典型情况下当芯片内部温度超过140度以
上时，过温调节开始起作用：随温度升高输入峰值电流逐渐减小，从而限制输入功率，增强系
统可靠性。OC5021B
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封装信息
SOT23-6封装尺寸图：
