OC5021B(资料仅供参考，技术支持及请电话咨询）

开关降压型 LED 恒流驱动器

典型应用电路图

概述

OC5021B是一款、的

降压型大功率LED恒流驱动控制芯片。

OC5021B采用固定关断时间的峰值

电流控制方式，关断时间可通过外部电容

进行调节，工作频率可根据用户要求而改

变。

OC5021B通过调节外置的电流采样

电阻，能控制高亮度LED灯的驱动电流，

使LED灯亮度达到预期恒定亮度。

在DIM端加PWM信号，可以进行

LED灯调光。DIM端同时支持线性调光。

OC5021B内部集成了VDD稳压管以

及过温保护电路，减少外围元件并提高系

统可靠性。

OC5021B采用SOT23-6封装。

特点

◆宽输入电压范围：3.1V~100V

◆：可高达93%

◆支持PWM调光和线性调光

◆工作频率：1MHz

◆CS电压：250mV

◆芯片供电欠压保护：2.6V

◆关断时间可调

◆智能过温保护

◆内置VDD稳压管

应用领域

◆自行车、电动车、摩托车灯

◆强光手电

◆LED射灯

◆大功率LED照明

◆LED背光OC5021B

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2OC5021B_V1.0

封装及管脚分配

SOT23-6

管脚描述

管脚号 管脚名 描述

1 DRV驱动端，接外部MOS管栅极

2 VSS接地

3 DIM调光脚，支持PWM调光及线性调光。DIM接地则关

断输出；DIM电压高过3.1V则电流输出。

4 VDD芯片电源

5 TOFF关断时间设置

6 CS电感峰值电流检测脚OC5021B

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3OC5021B_V1.0

极限参数（注 1）

符 号 描述 参数范围 单位

VDD VDD端电压5.5 V

VMAXDIM、DRV、TOFF和CS脚的

电压

-0.3~VDD+0.3 V

PSOT23-6SOT23-6封装功耗0.3 W

TA工作温度范围-20~85

o

C

TSTG存储温度范围-40~120

o

C

TSD焊接温度范围（时间小于30秒）240

o

C

VESD静电耐压值（人体模型）2000 V

注 1：极限参数是指超过上表中规定的工作范围可能会导致器件损坏。而工作在以上极限条件下可能会影响器

件的可靠性。

内部电路方框图OC5021B

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4OC5021B_V1.0

电特性

除非特别说明，VDD=5.5V，TA=25

o

C

参数 符号 测试条件 小值 典型值 值 单位

电源电压

VDD钳位电压VDDIVDD<10ma 5.5 v

欠压保护电压VDD_UVLOVDD上升2.6 V

欠压保护迟滞VDD_HYS 0.4 V

电源电流

工作电流IOPFOP=200KHz 1.3 mA

待机输入电流IINQ无负载，EN为低电平200 uA

峰值电流采样

VCS阈值VCS_TH245 255 265 mV

关断时间

小关断时间TOFF_MINTOFF脚无外接电容650 ns

DIM 调光

线性调光范围VDIM 1.1 3.1 V

DIM关断电压0.9 V

DRV 驱动

DRV上升时间TRISEDRV脚接500pF电容50 ns

DRV下降时间TFALLDRV脚接500pF电容50 ns

小导通时间TON_MIN250 ns

过温保护

过温调节OTP_TH 140

o

COC5021B

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应用指南

工作原理

OC5021B采用峰值电流检测和固定关断时间的控制方式。电路工作在开关管导通和关断

两种状态。

参见图1所示的典型应用电路图，当MOS开关管处于导通状态时，输入电压VIN通过LED

灯、电感L1、MOS开关管、电流检测电阻RCS对电感充电，流过电感的电流随充电时间逐渐增

大，当电流检测电阻RCS上的电压降达到电流检测阈值电压VCS_TH时，控制电路使得DRV输出

端变为低电平并关断MOS开关管。

当MOS开关管处于关断状态时，电感通过由LED灯、续流二极管以及电感自身组成的环

路对电感储能放电。MOS开关管在关断一个固定的时间TOFF后，重新回到导通状态，并重复

以上导通与关断过程。

TOFF设置

固定关断时间可由连接到TOFF引脚端的电容COFF设定：

T K C pF TOFF OFF= Ω + +0.51 150 ( 8 )D

其中TD=61ns。

如果不外接COFF，内部将关断时间设定为650ns。

输出电流设置

LED输出电流由电流采样RCS以及TOFF等参数设定：

CS 1

0.25

2

LED OFF LEDV T I

R L

=

其中VLED是LED的正向导通压降，L1是电感值。

电感取值

为系统的输出恒流特性，电感电流应工作在连续模式，要求的小电感取值为：

LV T R1 LED OFF CS> 4

系统工作频率

系统工作频率FS由下式确定：

IN LED

S

IN OFF

V V F

V T

=

DIM 调光脚

OC5021B可通过DIM脚进行调光。DIM脚支持PWM调光及线性调光。当DIM脚接地，芯

片关断LED输出；当DIM脚电压高过3.1V，LED输出电流。DIM脚线性调光范围在OC5021B

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1.1-3.1V。当不需要调光功能时，DIM脚应接高电平，DIM脚不允许悬空。在采用线性调光时，

DIM脚对地应接一个小电容（例如10nF以上电容）。

芯片布局考虑

电流检测电阻RCS到芯片CS引脚以及GND引脚的连线需尽量粗而短，以减小连线寄生电

阻对输出电流精度的影响。

MOS 管选择

首先要考虑MOS管的耐压，一般要求MOS管的耐压高过输出电压的1.5倍以上。其

次，根据驱动LED电流的大小以及电感峰值电流来选择MOS管的IDS电流。一般MOS管的

IDS电流应是电感峰值电流的2倍以上。此外，MOS管的导通电阻RDSON要小，RDSON

越小，损耗在MOS管上的功率也越小，系统转换效率就越高。

另外，高压应用时应注意选择阈值电压在2.5V以内的MOS管。芯片的工作电源电压决定

了DRV驱动电压。通常芯片的驱动电压为5.5V，所以应MOS管在VGS电压等于5.5V时导

通内阻足够低。

供电电阻选择

OC5021B通过供电电阻RVDD对芯片VDD供电。

IN

VDD

VDD

V VDD R

I

=

其中VDD取5.5V, IVDD典型值取2mA，VIN为输入电压。当开关频率设置的较高或者MOS管的

输入电容较大时，芯片工作电流会增大，相应地应减小供电电阻取值。

芯片内部接VDD脚的稳压管钳位电流不超过10mA，应注意RVDD的取值不能过小，以

免流入VDD的电流超过允许值，否则需外接稳压管钳位。

过温保护

当芯片温度过高时，系统会限制输入电流峰值，典型情况下当芯片内部温度超过140度以

上时，过温调节开始起作用：随温度升高输入峰值电流逐渐减小，从而限制输入功率，增强系

统可靠性。OC5021B

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封装信息

SOT23-6封装尺寸图：