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单节/多节锂电池优势升压芯片 2.5V-100V输入便携式UV紫外灯优势芯片OC6700B
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单节/多节锂电池优势升压芯片 2.5V-100V输入便携式UV紫外灯优势芯片OC6700B

?宽输入电压范围:2.6V~60V?内置60V功率MOS?高效率:可高达95%?工作频率:1MHz?FB电流采样电压:250mV?芯片供电欠压保护:2.3V?关断时间可调?智能过温保护?软启动?内置VDD稳压管

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    广东 深圳 宝安区 宝安31区前进一路186号东方明珠商务大厦
产品特性:性能稳定品牌:欧创芯型号:OC6700B/OC6700
类型:驱动IC驱动芯片类型:DC-DC针脚数:8
用途:LED 灯杯、单节电池以上供电的 LED 灯串、平板显示 LED 背光、、大功率 LED 照明封装:ESOP8系列:升压恒流
功率:20W内批号:2018+特色服务:原厂技术支持
产品说明:原装正品假一罚十货号:OC6700B/OC6700是否跨境货源:否
包装:真空应用领域:照明电子

OC6700B

内置 60V 功率 MOS 升压型 LED 恒流驱动器


典型应用电路图

概述

OC6700B 是一款内置 60V 功率

NMOS 高效率、高精度的升压型大功率

LED 恒流驱动芯片。

OC6700B 采用固定关断时间的控制

方式,关断时间可通过外部电容进行调节,

工作频率可根据用户要求而改变。

OC6700B 通过调节外置的电流采样

电阻,能控制高亮度 LED 灯的驱动电流,

使 LED 灯亮度达到预期恒定亮度。在 EN

端加 PWM 信号,还可以进行 LED 灯调光。

OC6700B 内部集成了 VDD 稳压管,

软启动以及过温保护电路,减少外围元件

并提高系统可靠性。

OC6700B 采用 ESOP8 封装。散热片

内置接 SW 脚。

特点

? 宽输入电压范围:2.6V~60V

? 内置 60V 功率 MOS

? 高效率:可高达 95%

? 工作频率:1MHz

? FB 电流采样电压:250mV

? 芯片供电欠压保护:2.3V

? 关断时间可调

? 智能过温保护

? 软启动

? 内置 VDD 稳压管

应用

? LED 灯杯

? 单节电池以上供电的 LED 灯串

? 平板显示 LED 背光

? 大功率 LED 照明1

4 5

8

GND VDD

COMP

FB SW

CS

TOFF O

C

6

7

0

0

B

X

X

X

X

ESOP8

EN

OC6700B

内置 60V 功率 MOS 升压型 LED 恒流驱动器

深圳欧创芯半导体有限公司

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OC6700B_V1.0

封装及管脚分配

管脚定义

管脚号 管脚名 描述

1 GND 接地

2 EN 芯片使能,高电平有效;可做 PWM 调光脚。

3 COMP 频率补偿脚

4 FB 输出电流检测反馈脚

5 SW 功率 MOS 管漏极

6 CS 输入限流检测脚

7 TOFF 关断时间设置

8 VDD 芯片电源关断时间控制

电路

偏置电路

250mV

SW

CS

VDD

GND

TOFF

EN

250mV

FB

COMP

逻辑电路

过温保护

软启动

OC6700B

内置 60V 功率 MOS 升压型 LED 恒流驱动器

深圳欧创芯半导体有限公司

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OC6700B_V1.0

极限参数

(注 1)

符 号 描述 参数范围 单位

VSW VSW 端电压 60 V

VDD VDD 端电压 5.5 V

VMAX ENCOMPFBTOFF CS

脚的电压

-0.3~VDD+0.3 V

PESOP8 ESOP8 封装功耗 0.8 W

TA 工作温度范围 -20~85

o

C

TSTG 存储温度范围 -40~120

o

C

TSD 焊接温度范围(时间小于30秒) 240

o

C

VESD 静电耐压值(人体模型) 2000 V

1:极限参数是指超过上表中规定的工作范围可能会导致器件损坏。而工作在以上极限条件下可能会影响器

件的可靠性。

内部电路方框图OC6700B

内置 60V 功率 MOS 升压型 LED 恒流驱动器

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OC6700B_V1.0

电特性(除非特别说明,VDD =5.5VTA =25

o

C)

参数 符号 测试条件 最小值 典型值 值 单位

电源电压

VDD 钳位电压 VDD IVDD<10mA 5.5 V

欠压保护电压 VDD_UVLO VDD上升 2.6 V

欠压保护迟滞 VDD_HYS 0.3 V

电源电流

工作电流 IOP FOP =200KHz 1.3 mA

待机输入电流 IINQ 无负载,EN 为低电平 200 uA

输入峰值电流采样

过流保护阈值 VCS_TH 240 250 260 mV

输出电流采样

FB 脚电压 VFB 240 250 260 mV

关断时间

最小关断时间 TOFF_MIN TOFF 脚无外接电容 620 ns

EN 使能端输入

EN 端输入高电平 0.4*VDD V

EN 端输入低电平 0.8 V

内置 MOS

MOS 管耐压 VDS 60 V

MOS 管导通内阻 RDSON VGS=5V 50 mΩ

过温保护

过温调节 OTP_TH 135

o

C0.25LED

FB

I

R

?

T K C pF T OFF OFF D ? ? ?? ? ? 0.51 150 ( 7.3 )

I N

S

OUT OFF

V F

V T

?

?

OC6700B

内置 60V 功率 MOS 升压型 LED 恒流驱动器

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OC6700B_V1.0

应用指南

概述

OC6700B 是一款内置 60V 功率 NMOS 升压型大功率 LED 恒流驱动 IC,采用固定关断

时间的峰值电流模式控制方式。

芯片内部由误差放大器、PWM 比较器、电感峰值电流限流、固定关断时间控制电路、

PWM 逻辑、功率管驱动、基准等电路单元组成。

芯片通过FB管脚来采样LED输出电流。系统处于稳态时FB管脚电压VFB恒定在约

250mV。当VFB电压低于 250mV时,误差放大器的输出电压即COMP管脚电压升高,从而使

得在功率管导通期间电感的峰值电流增大,因此增大了输入功率,VFB电压将会升高。反之,

VFB电压高过 250mV时,误差放大器的输出电压会逐渐降低,从而使得在功率管导通期间

电感的峰值电流减小,因此减小了输入功率,VFB电压随之降低。

芯片通过 CS 管脚采样电感电流,实现峰值电流控制。此外,CS 脚还用来限制输入

电流,实现过流保护功能。

系统关断时间可通过连接到TOFF管脚的电容COFF来设置。通过设定关断时间,可设置系

统的工作频率。

COMP 管脚是误差放大器的输出端,需在 COMP 脚外接电阻、电容来实现频率补偿。

OC6700B 内部集成了 VDD 稳压管,以及软启动和过温保护电路。

LED 电流设置

LED输出电流由连接到FB管脚的反馈电阻RFB设定:

TOFF设置

关断时间可由连接到TOFF引脚端的电容COFF 设定:

其中TD =61ns

如果不外接COFFOC6700B内部将关断时间设定为 620ns。对于大多数应用,建议COFF

电容取值为 22~33pF或更大。

系统工作频率 FS

系统工作频率FS由下式确定:OUT IN

L OFFV V I T

L

? ? ? ?

1

2

O LED

pk L

IN

V I I I

V ?

? ? ? ?

?

( )

2

IN OUT IN OFF

OUT LED

V V V T Lcri

V I

? ? ? ?

?

0.2

* *

* 2

CS

OUT LED OUT IN

OFF

IN

R V I V V T

? V L

? ? ?

0.25PK

CS

I

R

?

IN

VDD

VDD

V VDD R

I

? ?

OC6700B

内置 60V 功率 MOS 升压型 LED 恒流驱动器

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OC6700B_V1.0

其中VINVOUT分别是系统输入和输出电压。

电感取值

流过电感的纹波电流大小与电感取值有关。工作于连续模式时,电感纹波电流由下式确

定:

增大电感值纹波电流会减小,反之增大。

连续模式下电感的峰值电流由下式确定:

电感电流工作在连续模式与非连续模式的临界值由下式确定:

电感数值大于 Lcri 则系统工作在连续模式,电感数值小于 Lcri 则系统工作在非连续模式。

在电感选择时,应***流过电感的峰值电流不引起电感的磁饱和。通常要求电感的饱和

电流大于电感峰值电流的 1.5 倍以上。同时应选择低 ESR 的功率电感,在大电流条件下电感

自身的 ESR 会***影响系统的转换效率。

RCS设置

需合理设置RCS电阻阻值,以防止在正常负载下因为输入限流而限制输出功率。

其中η表示转换效率,典型地可取 90%。应在***输入电压下计算得到RCS值。

系统的峰值电流IPK由电阻RCS限定:

供电电阻选择

OC6700B通过供电电阻RVDD对芯片VDD供电。OC6700B

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OC6700B_V1.0

其中VDD5.5V, IVDD典型值取 2mAVIN为输入电压。当开关频率设置的较高时,芯片工作

电流会增大,相应地应减小供电电阻取值。

芯片内部接VDD脚的稳压管钳位电流不超过 10mA,应注意RVDD的取值不能过小,以

免流入VDD的电流超过允许值,否则需外接稳压管钳位。

过温保护

当芯片温度过高时,系统会限制输入电流峰值,典型情况下当芯片内部温度超过 135 度以

上时,过温调节开始起作用:随温度升高输入峰值电流逐渐减小,从而限制输入功率,增强系

统可靠性。


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